BC847BW和SBC847BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BW SBC847BWT1G BC847,235

描述 Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45V 100mA 100MHz 150mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363TO-236AB NPN 45V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-70 SOT-23-3

频率 - - 100 MHz

极性 - NPN NPN

耗散功率 200 mW 150 mW 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 150 mW 250 mW

耗散功率(Max) - 150 mW 250 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益频宽积 100 MHz - -

封装 SOT-323 SOT-70 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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