对比图
型号 STD95N04 STI90N4F3 STP95N04
描述 N沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFETN沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETN沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-220-3
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 80.0 A - 80.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 6.5 mΩ - 5.4 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 110 W 110W (Tc) 110 W
输入电容 2.20 nF - 2.20 nF
栅电荷 54.0 nC - 54.0 nC
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40 V - 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80.0 A
上升时间 50 ns - 50 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - 110 W
下降时间 15 ns - 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.6 mm - 10.4 mm
宽度 6.2 mm - 4.6 mm
高度 2.4 mm - 9.15 mm
封装 TO-252-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free