FDS4897C和FDS8960C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4897C FDS8960C

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8960C  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 7.00 A

通道数 - 2

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.021 Ω 24 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 1.9 V 2 V

输入电容 - 540 pF

栅电荷 - 5.70 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 35 V

漏源击穿电压 - 35 V

连续漏极电流(Ids) 6.2A/4.4A 7.00 A

上升时间 - 16.0 ns

输入电容(Ciss) 760pF @20V(Vds) 570pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW

下降时间 - -

长度 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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