2SD2012和KSD2012

对比图

型号 2SD2012 KSD2012 2SC3475

描述 STMICROELECTRONICS  2SD2012  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 20 hFE低频功率放大器 Low Frequency Power AmplifierTRANSISTOR 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220 -

额定功率 25 W - -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 25 W - -

增益频宽积 3 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 5V - -

最大电流放大倍数(hFE) 320 - -

额定功率(Max) 25 W - -

直流电流增益(hFE) 20 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

耗散功率(Max) 25000 mW - -

集电极最大允许电流 - 3A -

长度 10.36 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 9.39 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -