STMICROELECTRONICS 2SD2012 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 20 hFE
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS NPN 60V 3A TO220F
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silcon Pwr Trans
e络盟:
STMICROELECTRONICS 2SD2012 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 25 W, 3 A, 20 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220
额定功率 25 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 25 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 320
额定功率Max 25 W
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.39 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD2012 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
KSD2012 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2SD2012和KSD2012的区别 |
SD-201 三星 | 功能相似 | 2SD2012和SD-201的区别 |