IRFZ44PBF和NTE2395

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44PBF NTE2395 IRFB3806PBF

描述 VISHAY  IRFZ44PBF  场效应管, MOSFET, N沟道NTE ELECTRONICS  NTE2395  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB3806PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定功率 - - 71 W

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.028 Ω 0.028 Ω 0.0126 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 150 W 150 W 71 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0V (min) 60 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 43A

上升时间 110 ns 110 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 1150pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 71 W

下降时间 92 ns 92 ns 47 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150000 mW 71W (Tc)

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 50.0 A - -

输入电容 1900pF @25V - -

栅电荷 67.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.41 mm - 10.66 mm

宽度 4.7 mm - 4.82 mm

高度 15.49 mm - 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -

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