对比图
型号 IRF640NSTRLPBF STB19NF20 IRF640SPBF
描述 N沟道,220V,18A,150mΩ@10VSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 18.0 A - -
漏源极电阻 0.15 Ω - 0.18 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 150 W 90 W 130 W
产品系列 IRF640NS - -
输入电容 1160pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 18.0 A
上升时间 19.0 ns 22 ns 51 ns
热阻 1℃/W (RθJC) - -
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 90 W 130 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
下降时间 - 11 ns 36 ns
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 130 W
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 10.4 mm 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -