对比图
型号 FQA19N60 STD18N55M5 STW13NK60Z
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 18.5 A - 13.0 A
额定功率 - - 150 W
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 380 mΩ 0.18 Ω 0.48 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 90 W 150 W
阈值电压 5 V 4 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 550 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 550 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 18.5 A 16A 13.0 A
上升时间 210 ns 9.5 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 2030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 90 W 150 W
下降时间 135 ns 13 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 W 110W (Tc) 150W (Tc)
长度 15.8 mm 6.6 mm 15.75 mm
宽度 5 mm 6.2 mm 5.15 mm
高度 18.9 mm 2.4 mm 20.15 mm
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99