BD241C和BD241C-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD241C BD241C-S TIP31CG

描述 STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 3A NPNON SEMICONDUCTOR  TIP31CG  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz - 3 MHz

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 25 @1A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 25 - -

额定功率(Max) 40 W 40 W 2 W

直流电流增益(hFE) 25 - 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 2000 mW

集电极最大允许电流 - 3A 3A

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 3.00 A

热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.82 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.28 mm

高度 - 9.3 mm 9.28 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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