对比图
型号 PTFA192001EV4R0XTMA1 PTFA192001EV4XWSA1
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-36260-2, 2PinTrans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 36260 Tray
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管晶体管
引脚数 3 3
封装 H-36260-2 H-36260-2
安装方式 - Screw
频率 1.93GHz ~ 1.99GHz 1.99 GHz
输出功率 200 W 50 W
增益 15.9 dB 15.9 dB
测试电流 1.6 A 1.8 A
额定电压 65 V 65 V
电源电压 30.0 V -
耗散功率 - 625000 mW
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 625000 mW
封装 H-36260-2 H-36260-2
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free