对比图
描述 PowerMOS transistor. N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope. The device is in...N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220
安装方式 - Through Hole -
上升时间 - 11 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 530pF @25V(Vds) 780pF @25V(Vds)
下降时间 - 9 ns 70 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 75000 mW
额定电压(DC) - 400 V -
额定电流 - 5.50 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 750 mΩ -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 100 W -
漏源极电压(Vds) - 400 V -
漏源击穿电压 - 400 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 5.50 A -
封装 - TO-220-3 TO-220
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - 150℃ (TJ) -