BD682G和BD682STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD682G BD682STU BD682TG

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFEDarlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 4.00 A -4.00 A -4.00 A

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 14 W 40000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 14 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 14 W 40000 mW

额定功率 - 14 W -

长度 7.74 mm 8 mm 7.74 mm

宽度 2.66 mm 3.25 mm 2.66 mm

高度 11.04 mm 11.2 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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