IPS1041RPBF和VND1NV04TR-E

对比图

型号 IPS1041RPBF VND1NV04TR-E VND1NV04-E

描述 Power Switch Lo Side 2.2A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsVN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 5.50 V - -

输出电流 1.95 A 1.7 A 1.7 A

漏源极电阻 0.1 Ω 0.25 Ω -

耗散功率 2 W 35 W 35 W

产品系列 IPS1041RPBF - -

阈值电压 1.7 V 2.5 V -

钳位电压 39 V - -

输入电压(Max) 6 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

电源电压(Max) 36 V - -

输入电压 4V ~ 5.5V - -

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

上升时间 - 500 ns 500 ns

输出电流(Max) - 1.7 A 1.7 A

输出电流(Min) - 1.7 A 1.7 A

输入数 - 1 1

下降时间 - 600 ns 600 ns

耗散功率(Max) - 35000 mW 35000 mW

额定功率 - 35 W -

通道数 - 1 -

极性 - N-Channel -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 500 mA -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99