对比图
型号 IRF7103IPBF ZXMN6A11DN8TA SI4330DY-T1-E3
描述 Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/RZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) Diodes (美台) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 2 W 2.1 W 1.1 W
产品系列 IRF7103I - -
极性 - Dual N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) - 60 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 2.70 A 8.70 A
上升时间 - 3.5 ns 10 ns
额定功率(Max) - 1.25 W 1.1 W
下降时间 - 4.6 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.8 W 2000 mW
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 2.70 A -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.18 Ω -
阈值电压 - 1 V -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输入电容(Ciss) - 330pF @40V(Vds) -
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -