对比图
型号 FCPF9N60NT SPA15N60CFD SIHF12N60E-E3
描述 N沟道MOSFET 600V ， 9A ， 0.385Ω N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385ΩCoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.33 Ω - 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 29.8 W 34 W 33 W
阈值电压 2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 9A 13.4 A 12A
上升时间 8.7 ns 24 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 1820pF @25V(Vds) 937pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 29.8 W 34 W 147 W
下降时间 10.2 ns 5 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 29.8W (Tc) 34000 mW 33000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.36 mm 10.65 mm -
宽度 4.9 mm 4.85 mm -
高度 16.07 mm 16.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tube Tube Bulk
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -