BF556B和BF556A,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF556B BF556A,215 BF556B,215

描述 N-沟道硅结型场效应晶体管 N-channel silicon junction field-effect transistorsN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。MOSFET N-CH 30V 10mA SOT23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 - 7 mA 13 mA

耗散功率 - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

额定电压 - 30 V 30 V

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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