FJV3109RMTF和FJV3112R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV3109RMTF FJV3112R FJV3109R

描述 开关应用(偏置电阻内置) Switching Application (Bias Resistor Built In)NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 100 mA - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V - 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 600 - -

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 250 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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