对比图
型号 TLV271ID TLV272IDR TLV271CD
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLV271ID 运算放大器, 单路, 3 MHz, 1个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚BiMOS/BiCMOS 运算放大器，TLV/LMV 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS TLV271CD 运算放大器, 单路, 2.4 MHz, 1个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 7mA @5V 7mA @5V 7mA @5V
供电电流 625 µA 625 µA 625 µA
电路数 1 2 1
通道数 1 2 1
针脚数 8 8 8
耗散功率 0.396 W 0.396 W 0.396 W
共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K
带宽 3 MHz 3 MHz 2.4 MHz
转换速率 2.10 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs
增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz
过温保护 No No No
输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz
耗散功率(Max) 396 mW 396 mW 396 mW
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB
电源电压(Max) 16 V - 16 V
电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V
电源电压(DC) 16.0 V - -
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm
高度 1.58 mm 1.5 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15