DS1258AB-70和DS1258Y-70IND#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258AB-70 DS1258Y-70IND# DS1258W-100IND#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

引脚数 40 - -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - -

时钟频率 70.0 GHz - -

存取时间 70 ns - -

内存容量 2000000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

长度 53.72 mm - -

宽度 18.29 mm - -

高度 8.13 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free

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