对比图
型号 CY7C1512V18-167BZXI CY7C1512V18-200BZXC CY7C1512V18-200BZI
描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1512V18 72 Mb (4 Mx18) 200 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-16572 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) 1.80 V, 1.90 V (max) -
时钟频率 167MHz (max) 200MHz (max) -
位数 18 18 18
存取时间 167 µs 200 µs -
内存容量 72000000 B 72000000 B -
存取时间(Max) 0.5 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead