MJD31CRL和NJVMJD31CT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31CRL NJVMJD31CT4G MJD31CT4-A

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  NJVMJD31CT4G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFEMJD31C 系列 NPN 100 V 3A 表面贴装 低电压 功率晶体管 - TO-252

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 3.00 A - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.56 W 15 W 15 W

增益频宽积 3 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 25 @1A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 15 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 - 3 MHz -

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 10 50

耗散功率(Max) - 15000 mW 15000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 25

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.38 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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