STW20NK50Z和STW9NB90

对比图

型号 STW20NK50Z STW9NB90 IRFP450B

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道900V - 0.85ohm - 9.7A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 17.0 A - -

额定功率 190 W - -

通道数 1 1 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.23 Ω 1 Ω 310 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 190 W 190 W 205 W

阈值电压 3.75 V - -

输入电容 2600 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V 900 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 900 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 9.7A 14.0 A

上升时间 20 ns 13 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) - 3800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W - -

下降时间 15 ns 26 ns 125 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) - 205W (Tc)

长度 15.75 mm 15.75 mm 16.2 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 20.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR