对比图



描述 10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERSTrans RF BJT NPN 55V 40A 5Pin Case M-177 Tray射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Chassis - Surface Mount
引脚数 - - 5
封装 TO-220 - M-177
额定电压(DC) - - 110 V
额定电流 - - 40.0 A
极性 - - NPN
耗散功率 - - 330 W
输出功率 - - 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 55 V - 55 V
增益 14.5 dB - 15dB ~ 17dB
最小电流放大倍数(hFE) 15 @10A, 6V - 23 @10A, 6V
额定功率(Max) 330 W - 330 W
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 330000 mW
正向电压 0.65 V - -
正向电流 10000 mA - -
正向电流(Max) 10000 mA - -
封装 TO-220 - M-177
高度 8.2 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 200℃ (TJ) - 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99