对比图
描述 在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
引脚数 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 960 MHz 960 MHz
耗散功率 170000 mW 170000 mW
输出功率 60 W 60 W
增益 17.2 dB 17.2 dB
测试电流 300 mA 300 mA
输入电容(Ciss) 74pF @26V(Vds) 74pF @26V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 170000 mW 170000 mW
额定电压 80 V 80 V
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -