STF10N62K3和STF13N95K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF10N62K3 STF13N95K3 STF10NM60N

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道950 V, 0.68欧姆(典型值) , 10齐纳保护SuperMESH3 N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

耗散功率 30 W 40W (Tc) 25 W

漏源极电压(Vds) 620 V 950 V 600 V

上升时间 15 ns 16 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1620pF @100V(Vds) 540pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W 25 W

下降时间 31 ns 21 ns 15 ns

耗散功率(Max) 30W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc)

漏源极电阻 0.68 Ω - 0.53 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 3.75 V - 3 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.4 mm

宽度 4.6 mm - 4.6 mm

高度 16.4 mm - 16.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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