对比图
型号 MRF8P26080HSR3 MRF8S26060HR3 AFT26P100-4WSR3
描述 Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700MHz, 14W Avg., 28V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 87W, Typ Gain in dB is 15.3 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1826
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 3 5
封装 NI-780HS-4 NI-400-240 NI-780HS-4
频率 2.62 GHz 2.69 GHz 2.69 GHz
无卤素状态 Halogen Free Not Halogen Free Halogen Free
输出功率 14 W 15.5 W 22 W
增益 15 dB 16.3 dB 15.1 dB
测试电流 300 mA 450 mA 200 mA
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -40 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电流 - - 10 µA
电源电压 - - 28 V
耗散功率 140000 mW - -
耗散功率(Max) 140000 mW - -
高度 4.32 mm 4.14 mm -
封装 NI-780HS-4 NI-400-240 NI-780HS-4
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
重量 - - 2953.3 mg
ECCN代码 - - EAR99