MPS5179和MPS5179G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS5179 MPS5179G

描述 高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

增益 15 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @3mA, 1V 25 @3mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 200 mW

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW -

封装 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - -

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