FDPF3860T和IRF510A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDPF3860T IRF510A

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF3860T  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0291 ohm, 10 V, 2.5 V先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.0291 Ω 400 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 33.8 W 33 W

阈值电压 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 20A 5.60 A

上升时间 17 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 33.8 W -

下降时间 7 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 33.8W (Tc) -

漏源击穿电压 - 40.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

长度 10.36 mm 10.67 mm

宽度 4.9 mm 4.7 mm

高度 16.07 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99

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