对比图
型号 SI7107DN-T1-E3 SIS407DN-T1-GE3
描述 Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8Pin PowerPAK 1212 T/RVISHAY SIS407DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -400 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 1212 1212
安装方式 Surface Mount -
针脚数 - 8
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0082 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 33 W
上升时间 - 28 ns
输入电容(Ciss) - 2760pF @10V(Vds)
下降时间 240 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3600 mW
漏源极电压(Vds) -20.0 V -
连续漏极电流(Ids) -15.3 A -
热阻 2.4℃/W (RθJC) -
高度 1.07 mm 1.04 mm
封装 1212 1212
长度 3.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -