对比图
型号 IRFZ34NSTRLPBF STB36NF06LT4 STB35NF10T4
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 60.0 V 100 V
额定电流 - 30.0 A 40.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.032 Ω 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 70 W 115 W
阈值电压 - 1 V 3 V
输入电容 - 660 pF -
栅电荷 - 17.5 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 - 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 29.0 A 30.0 A 40.0 A
上升时间 - 80 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 70 W 115 W
下降时间 - 13 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 115W (Tc)
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
产品系列 IRFZ34NS - -
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17