FDP8870和PSMN4R3-30PL,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP8870 PSMN4R3-30PL,127 IRL7833PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8870.  场效应管, MOSFET, N沟道TO-220AB N-CH 30V 100AThe IRL7833PBF is a 30V single N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification. This MOSFET is used in high frequency synchronous buck converters for computer processor power.

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 160 A - 150 A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0034 Ω 0.0043 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 103 W 140 W

阈值电压 2.5 V 1.7 V -

输入电容 5.20 nF - -

栅电荷 106 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 156 A 100A 150 A

上升时间 105 ns 58 ns 50.0 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 2400pF @12V(Vds) 4170pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 103 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 103W (Tc) -

产品系列 - - IRL7833

下降时间 - 21 ns -

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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