AD8510BR-REEL和AD8510BRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8510BR-REEL AD8510BRZ AD8510BRZ-REEL7

描述 精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational AmplifiersANALOG DEVICES  AD8510BRZ  运算放大器, 单路, 8 MHz, 1个放大器, 20 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚精密,极低噪声,低输入偏置电流,宽带宽JFET运算放大器 Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.2 mA 2.2 mA 2.2 mA

电路数 1 1 1

共模抑制比 100 dB 100 dB 86 dB

输入电容 12.5 pF 12.5 pF 12.5 pF

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 8 MHz

输入阻抗 1.25 TΩ 1.25 TΩ 1.25 TΩ

输入补偿电压 80 µV 0.4 mV 80 µV

输入偏置电流 25 pA 0.075 nA 25 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 8 MHz 8 MHz

共模抑制比(Min) - 86 dB 86 dB

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 -

带宽 - 8 MHz -

电源电压(Max) - 36 V -

电源电压(Min) - 9 V -

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

军工级 No No No

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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