MT47H64M8JN-25E IT:G和MT47H64M8SH-25E IT:H

对比图

型号 MT47H64M8JN-25E IT:G MT47H64M8SH-25E IT:H

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA512M (64M x 8) 2.5ns 1.7V to 1.9V Parallel DDR2 SDRAM - TFBGA-60

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 - Surface Mount

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

供电电流 125 mA 125 mA

时钟频率 - 400 MHz

位数 8 8

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 1.80 V -

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

高度 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free