FDMS6681Z和FDS7079ZN3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMS6681Z FDS7079ZN3 SI7465DP-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS6681Z  晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 V30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFETSI7465DP-T1-E3 编带

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SOIC-8 SO-8

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0027 Ω 7.50 mΩ 0.051 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 73 W 3.13 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 21.1A -16.0 A -5.00 A

上升时间 38 ns 20 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 10380pF @15V(Vds) 3630pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W 1.5 W

下降时间 197 ns 98 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 3.13W (Ta) 3500 mW

阈值电压 - - 3 V

正向电压(Max) - - 1.2 V

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -16.0 A -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 6 mm 3.9 mm -

高度 1.05 mm 1.75 mm -

封装 Power-56-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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