JAN1N649-1和JAN1N6491

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N649-1 JAN1N6491 1N649-1

描述 Diode Switching 600V 0.4A 2Pin DO-351.5 WATT玻璃ZENER DIODES 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管齐纳二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

正向电压 1V @400mA - 1V @400mA

正向电流 400 mA - 400 mA

正向电流(Max) 0.4 A - 400 mA

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

耗散功率 - - 1500 mW

测试电流 - - 45 mA

稳压值 - - 5.6 V

正向电压(Max) - - 1V @400mA

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