对比图
型号 FQD12N20LTM FQD18N20V2TM FQD12N20LTM_F085
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD12N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.22 ohm, 10 V, 2 VQFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3Pin 2+Tab
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 9.00 A 15.0 A -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 220 mΩ 0.14 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2 V 5 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 15.0 mA 9A
上升时间 190 ns 133 ns 190 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
下降时间 120 ns 62 ns 120 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta), 55W (Tc)
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 6.1 mm 6.1 mm -
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -