MMBT3416LT3和MMBT3416LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3416LT3 MMBT3416LT3G

描述 通用放大器( NPN硅) General Purpose Amplifier(NPN Silicon)NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

频率 - 75 MHz

针脚数 - 3

耗散功率 - 0.3 W

最小电流放大倍数(hFE) - 75 @2mA, 4.5V

额定功率(Max) - 225 mW

直流电流增益(hFE) - 75

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm

高度 - 1.11 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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