MMBT3416LT3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT3416LT3概述

通用放大器（ NPN硅） General Purpose AmplifierNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
General Purpose Amplifier

MMBT3416LT3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT3416LT3

型号： MMBT3416LT3

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：通用放大器（ NPN硅） General Purpose AmplifierNPN Silicon

替代型号MMBT3416LT3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBT3416LT3 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBT3416LT3G 安森美	完全替代	MMBT3416LT3和MMBT3416LT3G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MMBT3416LT3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MMBT3416LT3G

安森美

完全替代