对比图
型号 FDPF51N25 FDPF51N25YDTU STP52N25M5
描述 ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeN沟道250 V ， 0.055 I© ， 28 A， TO- 220 MDmeshTM V功率MOSFET N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
通道数 - 1 -
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 117 W 38 W 110 W
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - 51A 28A
上升时间 465 ns 465 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 2620pF @25V(Vds) 3410pF @25V(Vds) 1770pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 38 W 38 W 110 W
下降时间 130 ns 130 ns 64 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38 W 38W (Tc) 110W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.06 Ω - -
阈值电压 5 V - -
长度 10.36 mm 10.67 mm -
宽度 4.9 mm 4.7 mm -
高度 16.07 mm 16.3 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99