对比图
型号 IRF2903ZPBF IRF2903ZSPBF IRL3713PBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF2903ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IRL3713PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
额定功率 290 W 290 W 200 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0024 Ω 0.0019 Ω 0.003 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 290 W 231 W 200 W
阈值电压 4 V 4 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 260A 235A 260A
上升时间 100 ns 100 ns 160 ns
输入电容(Ciss) 6320pF @25V(Vds) 6320pF @25V(Vds) 5890pF @15V(Vds)
下降时间 37 ns 37 ns 57 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290W (Tc) 231W (Tc) 330W (Tc)
输入电容 - - 5890 pF
额定功率(Max) - - 330 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 30 V -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.66 mm
宽度 4.83 mm 9.65 mm 4.82 mm
高度 16.51 mm 4.83 mm 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -