对比图
型号 BSR16,215 MMBT2907ALT1G BC817DS,115
描述 NXP BSR16,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 250 mW, -600 mA, 75 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFENXP BC817DS,115. 双极性晶体管阵列, 双路NPN, 45V, 500mA, 6-SOT-457
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 6
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-457
频率 200 MHz 200 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -600 mA -
额定功率 - 300 mW -
针脚数 3 3 6
极性 PNP PNP NPN
耗散功率 250 mW 225 mW 600 mW
输入电容 - 30 pF -
上升时间 - 40 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 45 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 250 mW 300 mW 600 mW
直流电流增益(hFE) 75 200 160
下降时间 - 30 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 600 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 160 @100mA, 1V
长度 - 3.04 mm 3.1 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.7 mm
高度 - 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-457
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR NLR