PMD9010D和PMD9010D,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMD9010D PMD9010D,115

描述 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors门驱动器 MOSFET DRIVER TAPE 7

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 TSOP TSOP-457

极性 NPN NPN

耗散功率 290 mW 400 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW

额定电压 - 45 V

长度 - 3.1 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1 mm

封装 TSOP TSOP-457

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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