PMD9010D,115

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PMD9010D,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

额定电压 45 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-457

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 MOSFET 驱动器

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMD9010D,115
型号: PMD9010D,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:门驱动器 MOSFET DRIVER TAPE 7
替代型号PMD9010D,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMD9010D,115

NXP 恩智浦

当前型号

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PMD9010D

恩智浦

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