STP19NM50N和STP8NM60N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP19NM50N STP8NM60N STP90N55F4

描述 N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道600 V , 0.56 Ω , 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , IPAK , DPAK , D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKTO-220 N-CH 55V 90A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.2 Ω - 6.4 mΩ

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 110 W 70 W 150 W

阈值电压 3 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 55 V

上升时间 16 ns 12 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 560pF @50V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 70 W 150 W

下降时间 17 ns 10 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) 150W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) - - 90A

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 15.75 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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