SD2931和SD2931-11W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SD2931 SD2931-11W SD2931-10

描述 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw - Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 M-174 M244 M-174

频率 175 MHz 175 MHz 175 MHz

额定电压(DC) - - 125 V

额定电流 - 20 A 20 A

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 292000 mW - 389000 mW

输入电容 - - 480 pF

漏源极电压(Vds) - - 125 V

漏源击穿电压 125 V - 125 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A - 20.0 A

输出功率 150 W 150 W 150 W

增益 15 dB 15 dB 15 dB

测试电流 250 mA 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) 480pF @50V(Vds) - 480pF @50V(Vds)

输出功率(Max) - - 150 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 292000 mW - 389000 mW

额定电压 125 V 125 V 125 V

封装 M-174 M244 M-174

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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