BSP125和BSP88L6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP125 BSP88L6327 BSP125 L6327

描述 INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 VPower Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4INFINEON  BSP125 L6327  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 TO-261 TO-261-4

额定电压(DC) - 240 V 600 V

额定电流 - 350 mA 120 mA

针脚数 4 - 4

漏源极电阻 45 Ω - 25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W - 1.8 W

阈值电压 1.9 V - 1.9 V

输入电容 - 95.0 pF 150 pF

栅电荷 - 6.80 nC 6.60 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 240 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 120 mA 350 mA 120 mA

上升时间 - - 14.4 ns

输入电容(Ciss) - 95pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.8 W 1.8 W

下降时间 - - 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1800 mW

工作结温(Max) 150 ℃ - -

封装 SOT-223 TO-261 TO-261-4

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Obsolete -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

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