对比图
型号 STP20NF06L STP60NF06 STP20NE06L
描述 STMICROELECTRONICS STP20NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VN - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 20.0 A 60.0 A 20.0 A
额定功率 - - 70 W
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 60 W 110 W 70 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 60.0 A 20.0 A
上升时间 30 ns 108 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 110 W 70 W
下降时间 6 ns 20 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 110W (Tc) 70W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.06 Ω 0.016 Ω -
阈值电压 3 V 2 V -
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±18.0 V ±20.0 V -
输入电容 400 pF - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 15.75 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -