TLV2362ID和TLV2362IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2362ID TLV2362IDR TLV2362IDRG4

描述 高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高性能低电压运算放大器 HIGH-PERFORMANCE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERSDual High-Performance, Low-Voltage Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤20 mA ≤20 mA ≤20 mA

供电电流 1.75 mA 1.75 mA 1.75 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 85 dB 85dB ~ 60dB 85 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K 0.00 V/K 0.00 V/K

带宽 6 MHz 6.00 MHz 6.00 MHz

转换速率 3.00 V/μs 3.00 V/μs 3.00 V/μs

增益频宽积 7 MHz 7 MHz 7 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 85 dB 85dB ~ 90dB 85dB ~ 90dB

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V -

增益带宽 7 MHz 7 MHz -

电源电压(Max) 2.5 V 5 V -

电源电压(Min) 2 V 2 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

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