对比图
型号 IRF640SPBF IRFS4127PBF IRF640NSPBF
描述 N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 18.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.0186 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 375 W 150 W
产品系列 - - IRF640NS
阈值电压 4 V 5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 72A 18.0 A
上升时间 51 ns 18 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 375 W 150 W
下降时间 36 ns 22 ns 5.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130 W 375W (Tc) 150000 mW
额定功率 - 375 W -
通道数 - 1 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 9.65 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 4.83 mm -
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -