MUN5133DW1T1和MUN5133DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5133DW1T1 MUN5133DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SC-88 SC-88-6

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW

封装 SC-88 SC-88-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司